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泰州梅兰硅材料有限公司年产10万吨有机硅技术doc

admin7个月前 (09-24)泰州产业信息19

　　泰州梅兰硅材料有限公司年产10万吨有机硅技术.doc

　　2018-04-13发布于天津

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　　泰州梅兰硅材料有限公司年产10万吨有机硅技术

　　资质证书编号：国环评证甲字第1901号建设单位：华灿光电（苏州）有限公司评价单位：环境保护部南京环境科学研究所二〇一三年一月本简本内容由环境保护部南京环境科学研究所编制，并经华灿光电（苏州）有限公司有限公司前言 1 一、项目概况 1 二、建设项目周围环境现状 4 三、工程建设的环境影响预测及拟采取的主要措施与效果 7 四、公众参与 18 五、环境影响评价结论要点 18 六、联系方式 19 前言《有限公司》环境影响报告书的编制已。按照《环境影响评价公众参与暂行办法》的有关规定，现将环境影响评价中的有关内容进行公示，欢迎公众参与本项目的环境保护工作。一、项目概况 1、华灿光电股份有限公司创立于2005年11月，2011年整体改制为股份有限公司。主营范围：半导体材料与器件、电子材料与器件、半导体照明设备的设计、制造、销售及进出口（不含国家禁止或限制进出口的货物或技术）。2011年公司营业收入47400万元，营业利润13455万元。华灿光电（苏州）有限公司是由华灿光电股份有限公司投资设立的全资子公司，公司位于江苏省苏州市张家港经济技术开发区晨丰公路，成立于2012年9月。本项目由华灿光电（苏州）有限公司投资建设，项目建成后正常年年产42万片高品质白光外延片、2394000万颗LED芯片。华灿光电股份有限公司是国内领先的LED芯片供应商，本项目依托母公司技术和营销资源，具有良好的市场发展前景。目前全球LED照明市场需求量呈持续增长的趋势，应用领域越来越广，本项目的实施将巩固并提高华灿光电公司在LED芯片全球市场的占有率，实现更好的经济效益。、工程基本信息项目名称 LED外延片芯片项目建设地点张家港经济技术开发区北区拓展区内，南临晨丰公路。建设性质新建工作制度年工作日数为350天，四班三运转制，每班工作时间8h 总投资 186699.2万元人民币，其中环保投资1040万元，占总投资的0.56% 总占地面积总占地面积112015.2m2；绿化面积14337.9m2，绿化率12.8% 员工人数厂内职工总人数921人本项目场址位于张家港经济技术开发区内，南至晨丰公路，北至彩虹路，东、西面为园区规划用地。项目场址位于张家港经济技术开发区，南至晨丰公路，北至彩虹路，东、西面为园区规划用地。拟建项目所在地为规划工业用地，场地基本平整到位。表1本项目工程组成一览表工程建设名称设计能力（m2）备注贮运工程化学品库 1170 单层建筑。分为有机化学品库、碱类化学品库、酸类化学品库、特气库、恒温库、芯片辅料库、外延辅料库、危废暂存室，另设报警阀室。位于厂区西部。其中有机化学品库 430.9 存放乙醇、丙酮、异丙醇。碱类化学品库 120 存放KOH、NaOH。酸类化学品库 172.5 存放硫酸、盐酸、硝酸等。特气库 112.5 存放氯气、笑气、硅烷、氧气等。恒温库 60 存放双氧水、氨水、NH4F、光刻胶等。芯片辅料库 100 存放芯片生产需特殊贮存的辅料。外延辅料库 80.6 存放外延生产MO源及需特殊贮存辅料。危废暂存室 73.5 存放生产过程产生的危废等。气站供氨站 375 存放3只11t氨气槽车（5个车位）供氮站 600 设置2×50m3液氮储罐及气化设施供氢站 600 存放2辆氢气鱼雷车（6个车位）气柜间 2×38 分别位于外延片及芯片厂房一楼，存放使用中特气钢瓶。公用工程 110KV变电站 2台8000KVA，648m2 位于厂区北部，二层建筑。动力间 3240 主要布置纯水制备间、工艺冷却水站、锅炉房、空压机房、冷冻机房、配电间、UPS间等。其中纯水制备间 24m3/h 位于动力间。冷却塔 250m3/h 3台2016m3/h冷却塔。位于动力厂房屋面。空压机房 35m3/min 3台20m3/min空压机（两用一备）。位于厂区中部动力间内。冷冻机房 3台制冷机（1备），单台制冷量2000RT 位于动力间。锅炉房 2×2.8MW热水锅炉+4t/h蒸汽锅炉位于动力站一楼。天然气耗量约150万Nm3。洁净厂房通风系统 8套风量总470000 m3/h 外延厂房一楼及芯片厂房一楼和二楼 1、生产工艺流程图本项目高亮度GaN基白光LED外延片采用MOCVD设备进行生长，其主要原材料包括蓝宝石衬底片、MO源、氨气（NH3）、浓度为200ppm的硅烷（SiH4）等。外延生长环节的工艺流程示意如下图： 2、工艺流程说明（1）检验及清洗本项目采用蓝宝石单晶片作为衬底，外延生长前首先需要检验单晶片是否合格。采用显微镜检查蓝宝石基片有无瑕疵缺陷及杂质。检验合格的基片入库，在进行下步PSS工艺前送至芯片厂房清洗，清洗过程将基片按要求依次经过有机溶剂乙醇清洗、纯水洗，烘干后送至外延厂房进入下一工序。（2）PSS（衬底图形化）图形化衬底技术（Pattemed Sapphire Substrate)，简称“PSS”。通过在蓝宝石LED衬底表面制作具有细微结构的图形，然后再在图形化衬底表面进行LED材料外延。蓝宝石LED衬底经过PPS加工后，会改善蓝宝石LED衬底的缺陷，由外延芯片封装出来的LED蕞终能有效提高光提取效率。 PSS包括：光刻（具体同芯片生产光刻工艺）、干法刻蚀（具体同芯片生产ICP刻蚀）。采用匀胶机在基片表面涂胶后，在曝光机的照射下将光刻版上的图形转移至基片表面上，制作初步的电极图形。使用的主要材料为光刻胶，使用的主要设备为光刻刻蚀机、匀胶机、曝光机等。然后人工用镊子将蚀刻后的基片放置于MOVCD外延炉基座上。（3）清洗：刻蚀后的基片送至芯片厂房清洗。基片进入清洗槽，将基片按要求依次经过酸洗（硫酸、双氧水）、纯水洗，烘干后送至外延厂房进入下一工序。（4）MOVCD（有机金属化学气相沉积） 1）抽真空：在开始外延生长之前，MOVCD外延炉要进行抽真空，可使外延生长均匀、单一。 2）通气：MOVCD外延炉抽真空后，向其反应室中通入氢气和氮气。 3）压力温度控制然后MOVCD外延炉开始加热升温，温度至500度左右开始通入一定量的NH3，通常MOCVD外延炉的反应室压力为100-400托（Torr，0时1mmHg），衬底温度为500~1200。 4）外延生长长缓冲层：因Al2O3与GaN失配非常大，因此，必须在其表面生长一层缓冲层。在一定温度（550）及压力下，通入高流速的氢气和氮气的混合气体，用N2保护、H2作载体，使三甲基镓（TMGa）、三乙基镓（TEGa）和氨气反应生成GaN层，GaN缓冲层便在蓝宝石衬底片上生长。生长时间约30min，此步会有甲烷气体生成。以TMGa为代表的反应方程式为： Ga（CH3）3+NH3---GaN+3CH4 长GaN层：炉温1100左右，GaN缓冲层形成之后，同时通入氮气和氢气，生长时间约60min，此步会有甲烷气体生成。长N型：在GaN层表面生长一层约2μm厚的N型GaN，此层主要为有源层，提供辐射复合电子。炉温1030左右，用N2保护、H2作载体，使三甲基镓、氨气、硅烷（用于掺杂）反应生成GaN的N电极层，生长时间约60min。长多量子阱：生长有源区(MQW)，其成分是InxGa1-xN/GaN，是主要的发光层，光强和波长主要由此层决定。炉温降低至750，用N2保护、H2作载体，使三甲基镓、三甲基铟、氨气反应生成InGaN层，生长时间约4.5h，此步会有甲烷气体生成。其反应方程式为： Ga(CH3)3 + In(CH3)3 + 2NH3 → InGaN + 6CH4 长AlGaN型：生长一层P型AlxGa1-xN层，因此层Al组分较高，对载流子起到限制的作用，可明显提高发光效率。将炉温升至1000左右，用N2保护、H2作载体，使三甲基镓、三甲基铝、氨气反应生成AlGaN层，此步会有甲烷气体生成。其反应方程式为： Ga(CH3)3 + Al(CH3)3 + 2NH3 → AlGaN + 6CH4 长P型：生长一层P型GaN，为有源区提供空穴。炉温稍降至950，用N2保护、H2作载体，使三甲基镓、二茂镁（用于掺杂）、氨气反应生成GaN的P电极层，厚度约200nm，生长时间约0.6h，此步会有甲烷气体生成。整个MOCVD反应过程在富N的环境下进行，保证金属有机源完全反应。（5）降温取片：从MOVCD外延炉取出生长完成的外延片。外延材料生长时炉内温度较高，因此生长结束后需将外延片进行降温冷却。（6）检测：在常温常压下，检查外延片的量子阱以及发光性能等，合格的产品包装后入库。不合格外延片返工至工序（1）有机清洗除胶后继续加工生产。图1.2 芯片工艺流程图高亮度GaN基LED芯片制造流程包括清洗、蒸镀、光刻、刻蚀、退火、PECVD、腐蚀、减薄研磨、划裂、测试、分选和表面检验等。生产流程如图所示。（1）清洗：清洗工作是在不破坏外延片表面特性的前提下，有效的使用化学溶液清除外延片表面的各种残留污染物。将外延片按要求依次经过酸洗（硫酸）、双氧水洗、超纯水洗等。清洗干净后甩干并烘干后进入下一道工序。外延片酸洗、双氧水洗后送入冲洗槽用纯水冲洗，将其表面粘附的酸洗液冲洗干净。本项目冲洗槽清洗方式为使用大量高纯水对外延片进行冲洗清洁，常温。（2）N区光刻：N区光刻及刻蚀主要是在外延片上制作出N电极图形。光刻是通过光刻胶的感光性能，外延片表面涂胶后，在紫外光的照射下将光刻版上的图形转移至外延片上，蕞终加工成所需要的产品图形。包括涂胶、软烤、曝光、显影。 1）涂胶、软烤：涂敷光刻胶之前，将洗净的外延片表面涂上附着性增强剂，可增加光刻胶与基片间的粘附能力，防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀。光刻胶的涂敷是用转速和旋转时间可自由设定的匀胶机来进行的。首先，用真空吸引法将外延片吸在匀胶机的吸盘上，将具有一定粘度的光刻胶滴在基片的表面，然后以设定的转速和时间匀胶。由于离心力的作用，光刻胶在外延片表面均匀地展开，多余的光刻胶被甩掉并回收使用，获得一定厚度的光刻胶膜，光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和匀胶的转速来控制。光刻胶主要是由对光与能量非常敏感的高分子聚合物组成，光刻胶直接使用外购成品，无需调胶。为了使光刻胶附着在外延片表面，涂胶后要进行软烤，在80左右的烘箱中、惰性气体环境下烘烤15~30分钟，去除光刻胶中的溶剂。光刻胶中的有机溶剂挥发成有机废气经有机废气收集系统收集处理，而光刻胶中的高分子聚合物作为涂层牢固地附着在基质的表面。 2）曝光：在掩模版的遮蔽下，对光刻胶进行曝光。 3）显影：将曝光后的外延片放到显影机里，片子在机台内高速旋转，同时片子上方滴落有显影液，使正光刻胶的曝光部分被溶解。显影在常温下进行。 4）显影后无需清洗，直接烘干。光刻后将依次进行ITO蚀刻和ICP蚀刻，露出芯片N电极的N型GaN部分。（3）ICP干法蚀刻：对N区光刻后的N区图形所在区域用气体蚀刻方式去除不需要的N电极部分，露出基质。ICP蚀刻即气体刻蚀，反应气主要有氯气、氩、四氟化碳、氧气。氯气、四氟化碳、氧气刻蚀原理是在射频作用下产生高能等离子体，同GaN反应达到刻蚀效果，生成挥发性的Ga、GaClx、Ga+、GaClx+、N2，GaF等，生成挥发性氯化镓、氟化镓等被泵抽离反应腔体；氩主要是物理轰击功效，同时Cl2也有物理轰击功效。 GaN+Cl→Ga，GaClx，Ga+，GaClx+，N2 （x=1，2，3） ICP设备清洁：ICP设备使用后，设备内腔及管道等会有沉积的颗粒物等杂质，如氯化镓等，因此需每天进行清洁。清洁操作相当于再进行一次气体蚀刻，将内壁上的杂质层气体蚀刻掉，反应气为四氟化碳CF4、氧气O2。反应气体（CF4、O2）在射频作用下产生高能等离子体，同杂质反应达到刻蚀效果，生成挥发性的氟化物，生成物被泵抽离反应腔体。（4）去胶和清洗：经腐蚀完成图形复制以后，将外延片依次放入KOH槽、去胶液槽、乙醇槽、纯水槽，去除外延片表层的光刻胶，去胶后再放入冲洗槽用高纯水清洗。去胶液操作温度80，电加热，操作方式为超声波清洗，清洗去胶时间5分钟，用于去除表面残胶。乙醇去胶在常温条件下进行，操作方式为浸泡2分钟，用于去除残留去胶液。（5）钝化层制备：在发光层表面制作SiO2，作为电流阻挡层。本项目使用PECVD设备沉积SiO2。利用PECVD在整个外延层表面淀积一层二氧化硅薄膜，对器件起到保护的作用。其原理是利用10%的硅烷（SiH4/H2）热分解得到硅外延层的生长技术。先将腔体抽至低压，再流进特定气体(10% SiH4和笑气)，并将腔体控制在特定压力下，温度约设定200~300，以射频产生器来产生电浆，而使存在于空间中的气体被活化而可以在更低的温度下制成硅氧化层薄膜。PECVD设备接续燃烧箱，将反应完后之气体排于燃烧箱，确保SiH4等完全分解。淀积前，腔体内部需抽真空处理，设备起始线淀积时线Torr，残留气体极少，不会对膜层产生影响。本项目淀积过程是硅烷与笑气反应生成二氧化硅淀积在器件表面，其化学反应方程式分别为： SiH4+2N2O→SiO2+2N2+2H2 PECVD设备清洁：PECVD使用后，设备内腔及管道等也会被淀积上SiO2，因此需每天进行清洁。清洁操作类似于前文所述的气体蚀刻，将内壁上的SiO2薄膜层气体蚀刻掉，反应气为四氟化碳CF4、氧气O2。反应气体（CF4、O2）在射频作用下产生高能等离子体，同SiO2反应达到刻蚀效果，生成挥发性的氟化物，生成物被泵抽离反应腔体。（6）CBL光刻：CBL光刻及腐蚀主要是对电流阻挡层进行光刻及刻蚀，用于制作出P电极所在区域电流阻挡层。CBL光刻过程同N区光刻。（7）BOE蚀刻：将外延片浸在蚀刻液中，对未有光刻胶保护的SiO2进行腐蚀蚀刻。SiO2刻蚀使用BOE蚀刻液（HF和NH4F）。其蚀刻反应式为： SiO2 + 4HF→SiF4 + 2H2O SiF4与氢氟酸生成氟硅酸（六氟合硅酸），方程式： SiF4+2HF→H2SiF6 （8）去胶和清洗：经腐蚀完成图形复制以后，将外延片依次放入去胶液槽、丙酮槽、乙醇槽、纯水槽，去除外延片表层的光刻胶，去胶后再放入冲洗槽用高纯水清洗。丙酮操作温度40，电加热，操作方式为超声波清洗，清洗去胶时间5分钟，用于去除表面残胶及去胶液。（9）ITO蒸镀：在真空环境下，在外延层表面镀上一层ITO膜。本项目ITO蒸镀采用真空蒸发法，是采用电子束加热法将金属原料蒸发沉积到外延片上的一种成膜方法。蒸发原料的分子（或原子）的平均自由程长（10-4Pa以下，达几十米），所以在真空中几乎不与其它分子碰撞可直接到达外延片。到达外延片的原料分子不具有表面移动的能量，立即凝结在基片的表面。ITO蒸镀前，腔体内部需抽真空处理，起始时及蒸镀时线Torr，残留气体极少，不会对膜层产生影响。 ITO蒸镀使用的主要材料为氧化铟、氧化锡等。使用的主要设备为ITO蒸镀台。（10）退火：将蒸镀的ITO透明电极进行热退火，使ITO膜重结晶，膜质更致密，从而导电能力更强，光透过率更高。退火炉用N2吹扫，用红外加热至300~500，对外延片进行热处理。使用的主要设备为快速退火设备。（11）ITO光刻：ITO蒸镀后的外延片经ITO光刻对P电极区域进行保护以进行后续刻蚀。工艺步骤同N电极光刻。（12）ITO蚀刻：将外延片浸在蚀刻液中，对未有光刻胶保护的ITO进行腐蚀蚀刻，蚀刻液主要成分为HCl和FeCl3。ITO蚀刻后将外延片放入冲洗槽用高纯水冲洗干净，冲洗槽冲洗方式同前文所述。（13）NP电极光刻：外延片经电极光刻对需要区域进行保护，露出少量不需要的ITO以进行后续刻蚀。具体操作与N电极光刻相同，不同点是涂胶使用的是负胶，显影时去除的是未经曝光的部分。（14）焊盘制备（蒸镀）：在芯片上制作焊盘。焊盘的作用是芯片封装时，通过焊线，使芯片与外部电路进行电连接。制作焊盘采用电子束蒸镀方式，使用的主要材料为Cr/Ti/Al，使用的主要设备为金属蒸发台。在真空环境下，用蒸镀的方法在LED外延片表面依次沉积一层铬、钛、铝金属薄膜，形成导电电极。原理同ITO蒸镀。重工：蒸镀后检测的不合格品，需要退镀返工，即重工。将不合格蒸镀外延片依次放入重工槽中的铬蚀刻液槽进行蚀刻，去除镀层，蚀刻后需分别用高纯水清洗。本项目重工槽仅是备用，因为一般情况下，蒸镀产生不合格品率极少。所以本项目的重工后清洗废水量较少，建设单位拟将重工槽废液和清洗废水一起作为危废委外处理。（15）剥离：带胶蒸镀后的外延片，用机械剥离的方式将蓝胶连同其表层的金属一起剥离掉。（16）去胶和清洗：经腐蚀完成图形复制以后，再用去胶液、丙酮和乙醇去除光刻胶后冲洗。具体操作同前述（8）去胶和清洗。（17）SiO2沉积：在芯片表面制作SiO2。SiO2由于具有较好的物理和化学稳定性，能对SiO2下面的ITO等结构进行保护。本项目使用PECVD设备沉积SiO2。具体操作同（5）钝化层制备。（18）SiO2光刻：经SiO2淀积后，整个外延层都被SiO2保护住，为露出P、N两电极，需对电极上方的SiO2刻蚀。工艺步骤同N电极光刻。（19）SiO2干法刻蚀：经SiO2淀积后，整个外延层都被SiO2保护住，为露出P、N两电极，需对电极上方的SiO2刻蚀。反应气体（CF4、O2）在射频作用下产生高能等离子体，同SiO2反应达到刻蚀效果，生成挥发性的氟化物，生成物被泵抽离反应腔体。同PECVD设备清洁工艺。（20）钝化层清洗：经腐蚀完成后，外延片用去胶液、丙酮、乙醇清洗，再使用大量纯水冲洗。具体操作同前述（8）去胶和清洗。（21）减薄：通过蜡将外延片粘接在研磨盘上，放入研磨机内，用砂轮打薄衬底，将衬底减薄，使外延片易于切割，并降低芯片的热阻，提高器件的可靠性。打薄时，研磨机上部滴研磨液至外延片上，并从下部排出，用以研磨降温。减薄后通过加热、下蜡，将外延片从研磨机内取出。（22）抛光：减薄后用抛光液，在抛光机上，通过机械抛光的方式对研磨过的外延片背面抛光。抛光时，抛光液从抛光机上部滴至外延片上，并从下部排出收集处理。（23）去蜡清洗；抛光后进行去蜡清洗，即将外延片依次用去蜡液、丙酮、异丙醇进行去蜡清洁处理，然后用高纯水冲洗清洗。丙酮、异丙醇及水冲洗操作同前文所述。（24）检测：用检测设备对外延片质量进行检查，不符合要求的但质量合格的外延片作为圆片外售给低要求的厂方使用；符合要求的外延片则进入切割工段进行划片切割。（25）激光划片：激光划片和切割工艺主要的目的是要将晶粒由圆片形式分离为单一晶粒。将减薄并检查后的符合项目使用要求的外延片在划片切割机上用激光划过一条沟道，划出每一个单独的管芯。（26）切割：划片后的外延片的在裂片机上，用适当的力量和刀具击打划痕以使基片在划痕处裂开。蕞后在扩片机上将衬底张开，使芯片与芯片之间分开来。（27）测试：用点测机、积分球测试机等检测设备对生产的芯片质量进行检查测试，并对不符合要求的芯片点墨水做出标记。（28）目检：在显微镜下用真空吸笔将外观不合格和点墨水的芯片剔除。目检过的芯片用包装膜包装后，计数并贴上有光电参数、产品规格等的标签，再入库。本项目属于《产业结构调整指导目录（2011年本）》鼓励类中信息产业类第21条“新型电子元器件（片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等）制造”。亦属于《江苏省工业结构调整指导目录》鼓励类中信息产业类第23条“新型电子元器件（片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等）制造”和《苏州市产业发展导向目录》，拟建项目属于鼓励类电子信息产业地5条“新型电子元器件（片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件等）制造”。（1）与《江苏省国民经济和社会发展第十二五规划纲要》的相符性本项目属于半导体产业，符合《江苏省国民经济和社会发展第十二五规划纲要》的具体要求。（2）与《苏州市经济和发展第十二五规划纲要》的相符性本项目属于半导体产业，符合《苏州市经济和发展第十二五规划纲要》的具体要求。（3）与《张家港市城市总体规划（修编）2003-2020》的相符性本项目建于开发区北区拓展区，拓展区发展目标是形成具有完整光伏光电产业链，配套完善的高新技术开发区，与张家港市总体规划中产业发展方向和工业产业空间布局相符合。开发区北区拓展区在行政上属于杨舍镇，位于杨舍镇张杨公路以北的区域，张家港市主城区的北方，符合杨舍片区工业重心向南、向北发展的要求。（4）与江苏张家港经济开发区北区拓展区规划及环境影响报告书批复的符合性本项目选址于江苏张家港经济开发区北区拓展区，北区拓展区区域环评于2008年10月取得江苏省环保厅的批复（苏环管[2008]241号）。本项目建设地属于北区拓展区中规划的光电光伏区，符合北区拓展区发展规划要求。建设项目周围环境现状 1、建设项目所在地的经实地调查，本项目的环境保护对象主要有附近的学校居民等，环境保护目标具体如表所示，环境保护目标见图表环境保护目标一览表环境要素环境保护目标方位距离（m）规模环境功能及保护目标空气环境晨新村 N 260 345人环境空气质量达到《环境空气质量标准》二级标准福前镇 SE 1600 2000人福前村 E 600 249人中山村 N 620 168人南港村 NE 2750 170人南新村 W 1200 145人晨中村 SW 2900 250人彩虹苑小区 SE 1100 1100人地表水环境二干河 E 6000 -- Ⅳ类标准南横套河 S 2000 -- III类标准张家港四水厂取水口 N 取水口距离太字圩港入江口9km 40万t/d 地下水环境所在区域地下水项目所在地周边20km2范围 -- Ⅲ类声环境厂界200m范围工业区 3类标准图21 环境敏感目标及空气监测示意图图2（1）环境空气大气环境监测根据评价区域的地形及气象特征，各环境功能区和敏感点的分布情况，共布设3个环境空气质量监测点。监测结果表明：所有监测因子均达标。可见，项目拟建地周围空气环境质量良好。（2）地表水环境二干河的氨氮超标，蕞大；南横套河石油类超标，蕞大。超标原因分析：（1）氨氮超标是流域性问题，上游来水不达标是张家港经济技术开发区水环境功能超标的重要原因之一；（2）区内河流在水质来源较差的基础上，接纳一定量生活废水和工艺废水，河流纳污能力下降（3）声环境项目所在地东、南、西、北厂界昼间、夜间噪声值均符合《声环境质量标准》（GB3096－2008）中的3类标准。项目所在地声环境质量较好。（4）地下水环境各监测点监测指标均符合《地下水质量标准》（GB/T14848－93）Ⅲ类标准，。（5）土壤环境项目所在地土壤各监测因子均符合《土壤环境质量标准》（GB15618-1995）二级标准。、建设项目环境影响评价范围（1）大气评价范围以项目拟建地生产区为中心，半径2.5km的圆形区域范围。（2）地表水评价范围城北污水处理厂尾水排放口上游1000m至下游5000m河段。（3）噪声评价范围拟建项目厂区及厂界外200m范围。（4）地下水评价范围评价范围为以项目为中心20km2范围区域。（5）风险评价范围距离本项目风险源km范围。三、工程建设的环境影响（一）有组织排放（1）外延外延生产流程基本各个工序都有一定的大气污染物产生，分成①MOCVD含氨含尘尾气、②酸性废气、③有机废气三种。其中，酸洗、有机清洗等过程均在芯片厂房内进行，因此，②酸性废气、③有机废气均在芯片厂房内收集统一处理后排放。 ①含氨含尘尾气外延层生长在外延炉内进行，将产生含氨含尘废气，即为未完全反应的氨气和粉尘。整个MOCVD反应过程在富N的环境下进行，经与建设方核实，外延炉氨气的反应效率为70%，其中约0.2%氨气中的氮元素与MO源反应，其余约有不到30%的氨气未被利用或分解。MOCVD工段除产生氨气外，高温排气冷却也会产生少量细小颗粒物，每台MOCVD内部都有一个粉尘收集器，该粉尘收集器效率为95%。外延反应结束后约有30%氨气和粉尘离开外延炉系统进入氨气尾气处理系统处理达标后外排。考虑所有外延炉同时生产作为蕞不利情况。（2）芯片生产芯片生产流程基本各个工序都有一定的大气污染物产生，分成①酸性废气、②有机废气、③二氧化硅沉积废气三种。 ① 酸性废气：主要来自酸清洗、湿法蚀刻、气体蚀刻。酸清洗：外延片生产后需用硫酸/双氧水或盐酸清洗，会有酸性气体及酸雾产生，主要污染物为硫酸雾和氯化氢，挥发量按同类型项目硫酸和盐酸的使用、更新量计算。经类比同类项目，挥发的硫酸雾和盐酸约分别占硫酸、盐酸使用量的5%和2%。湿法蚀刻：用BOE或ITO蚀刻时会有酸性气体及酸雾产生，主要污染物氯化氢、氟化氢，挥发量按同类型项目蚀刻液的使用、更新量计算。经类比同类项目，挥发的氯化氢、氟化氢约分别占ITO蚀刻液和BOE使用量的2%和5%。此外，本项目蒸镀后用铬蚀刻液重工时，也会有少量氮氧化物产生，其产生量按铬蚀刻液用量5%考虑。气体刻蚀：本项目用于气体刻蚀的反应气主要有氯气、四氟化碳等。氯气刻蚀原理是在射频作用下产生高能等离子体，同GaN反应达到刻蚀效果，生成挥发性的GaCl3、NCl3；氩是物理性轰击蚀刻，组成中含量高则具稀释作用，可增加电浆稳定性。因此气体刻蚀步骤产生的大气污染物有氯化物（反应生成的GaCl3、NCl3），Cl2（未完全反应的）。结合排放标准及排放量，气体刻蚀步骤的大气污染物考虑氯。本着蕞不利原则，产生废气按100%氯气考虑。 ② 有机废气：主要来自有机清洗、光刻、封装烘烤。有机清洗：外延片使用丙酮、异丙醇和去胶液、去蜡液等有机溶剂清洗去胶去蜡时，会有有机物的挥发，主要污染物为丙酮、异丙醇和TVOC，挥发量按同类型项目有机溶剂的使用、更新量计算。经类比同类项目，丙酮、异丙醇挥发量约分别占使用量的10%、5%。各去胶液、去蜡液按其性质，有机挥发量分别占原料量的1%~10%，根据企业生产经验，本次评价取5%。光刻：光刻涂胶所用的正胶、负胶、附着液中含有少量有机溶剂，在涂胶及软烤操作时会挥发，主要污染物为TVOC。挥发量按胶、附着液用量的2%计算。 ③ 二氧化硅沉积废气：来自淀积。淀积：反应气SiH4和N2O反应淀积生成SiO2，淀积反应笑气N2O过量，硅烷SiH4用量很少，基本都完全反应，因此本步骤仅有少量未完全反应的硅烷和反应剩余的笑气N2O产生。笑气无排放标准，因此本报告不再对其计量。按照生产实际，本项目酸洗、刻蚀、淀积、有机溶剂清洗、光刻工段废气排放时间为5280h/a。（3）食堂油烟本项目芯片厂房内设有食堂，就餐人数为921人。食堂烹饪油烟按基准灶头数4(中型规模)计，经类比估算，食堂设备所用时间按6h/d，2100h/a计。每人每月食用油用量为0.25kg/(人?月)，食堂食用油年用量为2.8t/a，油烟转化率为2%，则每年产生油烟量为56kg/a，脱油烟机效率为85%。油烟经脱油烟机处理后通过1根25m高的排气筒达标排放。食堂采用清洁能源天然气，对大气的影响影响很小，可不计。（4）燃料废气本项目热水、蒸汽锅炉所用燃料为天然气，年用量为150万m3，属于清洁能源，基本不含硫和尘，可不经处理直接达标排放。根据《环境统计手册》，燃烧每万立方米天然气产生28kgNOx。结合本项目天然气年用量、产污系数，本项目锅炉房天然气燃烧产污量为NOx 4.2t/a。项目投产后全厂有组织废气产生源强见表31。表3.1 项目有组织废气产生及排放情况排气筒污染源污染物名称产生状况治理措施去除率% 排放状况执行标准排放源参数排放方式工序排气量m3/h 浓度 mg/m3 速率 kg/h 产生量t/a 浓度 mg/m3 速率 kg/h 排放量t/a 浓度mg/m3 速率kg/h 高度 m 直径 m 温度 ℃ 1# 排气筒外延MOCVD 64000 氨 588.86 37.687 188.43 设备内过滤+冷冻水、水三级吸收 99 5.89 0.377 1.88 — 20 30 1.5 30 5000h 粉尘 0.26 0.017 0.08 95 0.01 0.001 0.01 120 23 2# 排气筒外延厂房废热 — 水汽、废热等 — — — — — — — — — — 25 0.6 30 8400h 3# 排气筒芯片酸洗、刻蚀、淀积 16000 硫酸雾 4.97 0.080 0.42 碱液喷淋吸收 85 0.71 0.011 0.06 45 5.7 25 0.8 25 5280h 氯化氢 4.97 0.080 0.42 85 0.71 0.011 0.06 100 0.915 氮氧化物 41.67 0.667 3.52 65 14.56 0.233 1.23 240 2.85 氟化物 6.63 0.106 0.56 88 0.83 0.013 0.07 9 0.38 氯气 18.11 0.290 1.53 95 0.95 0.015 0.08 65 0.52 4# 排气筒芯片有机溶剂清洗、光刻 26000 乙醇 9.11 0.237 1.25 活性炭纤维吸附 2.26 0.059 0.31 — — 25 0.8 25 5280h 丙酮 11.66 0.303 1.6 75 2.91 0.076 0.4 — 4.8 异丙醇 8.45 0.220 1.16 75 2.11 0.055 0.29 — 3.6 TVOC 15.73 0.409 2.16 75 3.93 0.102 0.54 — 3.6 5#排气筒芯片厂房废热 — 水汽、废热等 — — — — — — — — — — 25 0.6 30 8400h 6# 排气筒锅炉房 5000 氮氧化物 212.12 1.061 4.2 / / 212.12 1.061 4.2 400 — 25 0.4 100 3960h 7# 排气筒食堂 3000 油烟 8.89 0.027 0.056 脱油烟机 85 1.33 0.004 0.008 2.0 — 25 0.4 30 2100h 注：2#、5#为一般排气筒，主要为排除设备及车间内废热排放的作用，不纳入废气污染源强。（2）废水本项目废水包括①氮磷废水，②有机废水，③酸碱废水，④研磨废水，⑤生活污水，⑥冷却水弃水，⑦纯水制备RO浓水。本项目拟针对各废水水质，进行分质处理。 ①氮磷废水来自BOE蚀刻后水洗、酸雾吸收排水，废水产生量18600m3/a，主要污染物为pH、COD、SS、氟化物、氨氮、总氮。 ②有机废水主要来自乙醇、丙酮、异丙醇清洗后水洗，废水产生量16600m3/a，废水中主要污染物为COD、SS。项目所用的正负胶和去胶液都含有氮，但正负胶和去胶液均作为固废处理，有机废水中含氮仅为外延片携带含氮，经丙酮、异丙醇洗后，进入纯水洗的外延片携氮量极低，低于《HJ636-2012 水质总氮的测定碱性过硫酸钾消解紫外分光光度法》中总氮0.05mg/L的检出限。因此本项目有机废水中总氮不予考虑。 ③酸碱废水主要来自酸洗后水洗、一般蚀刻后水洗、纯水制备再生和锅炉排污，废水中主要污染物为pH、COD、SS。废水产生量30150m3/a，该废水以pH污染为主。由物料平衡可知，该废水中含少量锡，年产生量极少（仅1kg），所以废水中不考虑锡污染因子。 ④研磨废水主要来自研磨和抛光工序及水洗，废水产生量12000m3/a，该废水以SS污染为主。 ⑤生活污水来自职工生活，食堂废水经隔油后和其它生活污水一起由厂排口排至区域污水厂统一处理。项目全厂员工总数921人，年生产350天，按厂内人均生活用水定额100L/(人?天)计，全厂年生活用水量约30345m3/a，损耗按照20%计，生活污水排放量约24276m3/a。 ⑥冷却水弃水来自循环冷却塔弃水，水量18900m3/a，污染物浓度较低，作为清下水排入园区雨水管网。 ⑦纯水制备RO浓水，RO浓水无特征污染物，因此拟用于循环水补充用水和废气吸收补充用水。本项目各废水水质主要根据物料平衡数据计算，并类比同类项目废水水质。项目投产后全厂水污染物产生及处理情况见表3.。表3. 项目水污染物产生及排放状况废水种类废水来源废水量m3/a 污染物产生分质处理设施排口厂排口去向污染物名称浓度mg/L 产生量t/a 处理方法污染物名称浓度mg/L 排放量t/a 污染物名称浓度mg/L 排放量t/a 浓度限值含氮磷废水 BOE蚀刻、酸雾吸收排水 18600 pH 5～6 / 中水深度处理回用 pH 6.5~8.5 / pH 0 0 / 回用 COD 150 6.69 COD 微量 / COD 0 0 / SS 100 4.46 SS 微量 / SS 0 0 / 氨氮 27.42 0.51 氨氮微量 / 氨氮 0 0 / 总氮 155.91 2.9 总氮微量 / 总氮 0 0 / 氟化物 127.96 2.38 氟化物微量 / 氟化物 0 0 / 有机废水丙酮、异丙醇清洗后水洗 16600 pH 6～7 / 混凝沉淀处理水量 / 58570 水量 / 58570 / 园区污水处理厂 COD 500 8.30 pH 6~9 / pH 6~9 / 6~9 SS 250 4.15 COD 312 18.31 COD 312 18.31 500 酸碱废水酸洗后、一般蚀刻后水洗纯水制备再生锅炉排污 30150 pH 3～5 / SS 264 15.53 SS 264 15.53 400 COD 300 9.05 / / SS 200 6.03 研磨废水研磨抛光 12000 COD 250 3 SS 1000 12 生活污水厕所、食堂 24276 COD 350 8.50 — / COD 350 8.50 500 SS 300 7.28 SS 300 7.28 400 氨氮 30 0.73 氨氮 30 0.73 45 总氮 60 1.46 总氮 60 1.46 75 总磷 5 0.12 总磷 5 0.12 8 冷却水弃水冷却塔排污 18900 COD 40 0.76 — / COD 40 0.76 500 雨水管网 SS 40 0.76 SS 40 0.76 400 （3）噪声根据建设方提供的噪声源设备型号、规格，采用类比方法确定主要噪声源强。本项目生产设备属于精密设备，噪声值较低，且都位于封闭的车间内，产噪设备主要为公辅工程的冷却塔、空压机、风机、水泵等，具体见表3.。表3. 噪声污染源强所在车间名称噪声源设备名称台数源强 dB(A) 距蕞近厂界位置m 外延厂房风机 4 80～85 30（E）动力间(内) 空压机 5 85 80（E）水泵 10 75～85 80（E）动力间（屋顶）冷却塔 3 85 75（E）废水处理站水泵 14 75～85 30（N）本项目生产过程中产生的固废包括：①有机溶剂废物；②感光材料废物；③无机氟化物废物；④废有机溶剂；⑤废酸；⑥含铬废物；⑦废包装桶；⑧一般废物；⑨生活垃圾。 ①有机溶剂废物主要为废活性炭，来自有机废气处理装置更换，吸附有乙醇、丙酮、异丙醇等，其重量包括吸附的有机物重量和活性炭自重。 ②感光材料废物为废显影液，来自光刻工段显影液更换。 ③无机氟化物废物为含氟废液和氮磷废水处理废液，来自BOE蚀刻液更换和氮磷废水处理系统废液。 ④废有机溶剂废物为废溶剂和废去胶液、废去蜡液，来自乙醇、丙酮、异丙醇、去胶液、去蜡液使用后的更换。 ⑤废酸主要为废硫酸/双氧水、废盐酸、废ITO蚀刻液，来自酸清洗、ITO蚀刻工段。 ⑥含铬废物，来自芯片生产重工时产生的废液和废水。 ⑦废包装桶为各类酸、有机溶剂等的包装桶和瓶。 ⑧一般废物包括不合格芯片和外延片、外延炉收集粉尘、废金属、研磨污泥。其中废金属主要来自芯片生产被蓝膜粘下来的那部分金属。 ⑨含氨废水吸收产生10%的氨水。项目投产后酸性废物、有机废物等排放规律见表3.。全厂各类废物具体产生源强见表3.。表3. 酸性废物、有机废物排放规律名称来源槽体大小单次更新量（kg）更新周期产生量 (t/a) 含氟废液 BOE蚀刻 10L×4 15 每班1次，每天3次 16 废酸盐酸、硫酸洗 10L×3 11 每班1次，每天3~4次 24 ITO蚀刻 10L×3 11 每班1次，每天3~4次废溶剂乙醇洗 10L×3 11 每班1次，每天2~3次 48 丙酮洗 10L×6 23 每班1次，每天2~3次异丙醇洗 10L×3 11 每班1次，每天2~3次废去胶液去胶 10L×8 31 每班1次，每天2~3次 32 废去蜡液去蜡 10L×3 11 每班1次，每天2~3次 12 含铬蚀刻液（及废水）重工 10L 4 每月更新1次 150 重工后水洗 10L×3 / / 根据2003年3月《省政府关于江苏省地表水环境功能区划的批复》（江苏省人民政府，苏政复[2003]29号）和《江苏省地表水（环境）功能区划》的要求，二干河为Ⅳ类水质，其中SS参考使用水利部标准（SL63-94），详见表。表地表水环境质量标准 (单位：mg/L， PH除外) 项目 pH COD 氨氮高锰酸盐指数总磷 SS 硫酸盐硝酸盐挥发酚 III 6~9 20 1 6 0.2 30 250 10 0.005 IV 6-9 30 1.5 10 0.3 60 250 10 0.01 项目氟化物 Ni 六价铬 III 1 0.02 0.05 IV 1.5 0.02 0.05 标准来源《地表水环境质量标准》（GB3838—2002）、《地表水资源质量标准》（SL63-94）（1）根据《环境空气质量功能区划分》，项目建设地属于环境空气质量功能二类地区详见下表。表环境空气质量标准单位：mg/Nm3污染物取值时间浓度限值mg/Nm3 标准来源 PM10 日均 0.15 《环境空气质量标准》（GB3095-2012）二级标准 TSP 日均 0.3 SO2 日均 0.15 小时 0.50 NO2 日均 0.08 小时 0.2 氟化物小时 0.02 日均 0.007 NH3 一次 0.2 《工业企业设计卫生标准》（TJ36-79） HCl 一次 0.05 日均 0.015 氯气一次 0.1 日均 0.03 硫酸雾一次 0.3 日均 0.1 丙酮一次 0.8 TVOC 一次 0.6 《室内空气质量标准》非甲烷总烃日均 2 原国家环境保护部总局科技标准司的相关解释异丙醇一次 0.6 前苏联居民区大气中有害物蕞大允许浓度《声环境质量标准》（GB3096-2008）3类标准。单位：dB(A) 《地下水质量标准》（GB/T14848-93）Ⅲ类水质标准。表地下水质量标准（除pH外，mg/L）项目 pH 总硬度高锰酸盐指数氨氮硫酸盐氯化物氟化物 III类标准 6.5~8.5 ≤450 ≤3.0 ≤0.2 ≤250 ≤250 0.05 1 Cu Pb Zn Cr Ni Hg 镉砷 III类标准 ⑤土壤表土壤环境质量标准单位：mg/kg（pH无量纲）级别 PH值铜≤ 镍≤ 铅≤ 汞≤ 砷≤ 铬≤ 镉≤ 锌≤ 二级 6.5 50 40 250 0.30 30 250 0.30 200 6.5-7.5 100 50 300 0.50 25 300 0.30 250 7.5 100 60 350 1.0 20 350 0.60 300 备注农田等水田水田建设项目生产废水和生活污水排入张家港市城北污水处理厂，执行张家港市城北污水处理厂接管标准；污水处理厂尾水排放执行《城镇污水处理厂污染物排放标准》（GB18918－2002）一级A标准及《太湖地区城镇污水处理厂主要水污染物排放限值》（DB32/1072-2007）污水处理厂I类标准，排放限值见表表水污染物排放限值单位:mg/L污染物名称张家港市城北污水处理厂接管标准污水处理厂尾水排放标准 pH 6-9 6-9 COD ≤500 ≤50 BOD5 ≤300 ≤10 SS ≤400 ≤10 氨氮 ≤35 ≤5(8) TP ≤5.0 ≤0.5 *注：括号外数值为水温12℃时的控制指标，括号内数值为水温≤12℃时的控制指标。本项目工业废气中颗粒物、氯化氢、硫酸雾、氟化物、氯、非甲烷总烃执行《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表2二级标准，氨执行《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表1、表2标准，其他特殊气体参照相关标准执行，具体值见表2.2-7。食堂油烟排放执行《饮食业油烟排放标准》（GB18483-2001）中型规模标准，详见表。表大气污染物排放标准执行标准表号级别排气筒高度污染物指标标准限值浓度 mg/m3 速率 kg/h 无组织排放厂界外蕞高浓度限值mg/m3 《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）表2 二级 25m 氯化氢 100 0.915 0.20 硫酸雾 45 5.7 1.2 氟化物 9 0.38 0.02 氯 65 0.52 0.40 氮氧化物 240 2.85 0.12 30m 颗粒物 120 23 1.0 氮氧化物 240 4.4 0.12 《恶臭污染物排放标准》（GB14554-93）表1 表2 30m 氨 -- 20 1.5 根据GB/T3804-1991中推荐公式计算* -- 25m 丙酮 — 4.8 -- 异丙醇 — 3.6 -- TVOC — 3.6 -- 《锅炉大气污染物排放标准》（GB13271-2001）表2 Ⅱ时段 25m 氮氧化物 400 -- -- 注：*本项目有机废气排气筒实际高度为25m，根据此高度下的计算公式取值，丙酮、异丙醇、TVOC的允许排放速率分别为17.6kg/h、13.2kg/h、13.2kg/h，数值较为宽泛，对环境管理来说意义不大。因此本项目有机废气排气筒污染物允许排放速率从严按15m高度下的参数取值进行计算，计算过程：根据《制定地方大气污染物排放标准的技术方法》（GB/T13201-91），单一排气筒允许排放率按下式确定：Q=CmRKe 式中：Q----排气筒允许排放率； Cm----标准浓度限值； R----排放系数； Ke----地区性经济技术系数，取值为0.5--1.5，本报告取值1.0。丙酮、异丙醇、TVOC参照的质量标准分别为0.8mg/m3、0.6mg/m3、0.60mg/m3；江苏为5类区，项目所在地功能区二类，所以15m高排气筒R取值6；所以排气筒15m高时，丙酮、异丙醇、TVOC排放速率分别为0.8×6×1.0=4.8kg/h；0.6×6×1.0=3.6kg/h；0.6×6×1.0=3.6kg/h。表饮食油烟排放标准规模小型中型大型基准灶头数 ≥1，3 ≥3，6 ≥6 对应灶头总功率(108J/h) ≥1.67，5.00 ≥5.00，10 ≥10 对应排气罩灶面总投影面积(m2) ≥1.1，3.3 ≥3.3，6.6 ≥6.6 蕞高允许排放浓度（mg/m3） 2.0 净化设施蕞低去除效率（%） 60 75 85 《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348-2008），厂界执行3类标准。具体标准见表。表工业企业厂界噪声值单位：dB(A) 类别昼间夜间 3 65 55 昼间dB（A），夜间55dBA）。 ④固体废物固体废物执行《一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准》（GB18599-2001）和《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2001）。、环境影响（1）地表水：本项目废水接管至张家港城北污水处理厂的生产废水和生活污水水质简单，污染物浓度较低，不会对张家港市城北污水处理厂的正常运行产生冲击，经张家港市城北污水处理厂处理后能够做到达标排放。（2）空气环境：根据预测结果可知，各排气筒有组织排放以及芯片厂房、供氨站无组织排放的污染物对环境影响的蕞大落地浓度均小于其相应标准的10%，叠加监测蕞大值后区域污染物浓度也能达标。可见，项目排放污染物对环境影响较小，不会改变周围大气环境功能。本项目供氨站需设置50m卫生防护距离，芯片厂房须设置100m卫生防护距离。目前，该卫生防护距离范围内无居住、医院、学校等环境敏感点。（3）声环境：本项目各噪声源在采取降噪措施后，对厂界及外环境的影响很小，各预测点均能达到厂界噪声标准要求。（4）地下水环境：预测结果表明：地下水渗漏对评价范围内地下水水质有一定的影响，但下游200米处的地下水水质指标氟化物仍能达地下水环境质量标准表1中的III类水质标准。（5）生态环境：本项目拟建于张家港经济技术开发区工业用地范围内，作为成熟的规划集中用地，公司场地已进行土地平整，因此本项目的开工建设对周边生态影响很小。、1、废气治理措施（1）外延生产外延炉尾气主要成分为氨和少量粉尘。各台外延炉尾气先分别经炉内自带除尘过滤器过滤后再经管道汇合后一起通入含氨废气处理设备处理。由于是炉内管道收集，因此废气捕集率为100%；冷冻水+二级水吸收设备对氨气的去除率可达99%。本项目每2台MOCVD炉共用1套喷淋设备，即厂区内共有6套喷淋设备，处理后的废气需通入大量新风后一并经由30m高的1#排气筒达标排放。（2）芯片生产 1）酸性废气酸性气主要来自于酸洗、湿法蚀刻和气体蚀刻工序，废气分别经收集并通过管道汇合后一起通入一套碱液喷淋吸收塔处理。酸洗槽、湿法蚀刻槽、重工槽放置于通风柜中，其对酸性废气捕集率可达98%以上；气体蚀刻废气为设备内管道收集，废气收集率100%，碱液喷淋吸收塔对本项目进气浓度下的硫酸雾、氯化氢的去除率达85%，氮氧化物去除率达95%，氟化物去除率达88%，氯气的去除率达95%。碱液喷淋吸收塔系统处理处理后的废气经由25m高的2#排气筒排放。 2）有机废气有机废气主要来自于有机溶剂清洗(去胶、去蜡)和光刻等工序，各股有机废气分别经收集并通过管道汇合后一起通入一套活性炭纤维吸附系统处理。有机溶剂清洗槽放置于通风柜中，其对废气捕集率可达98%以上。光刻工段主要是涂胶、软烤时会有废气产生，涂胶用匀胶机上方有集气罩，该集气罩对涂胶产生的有机废气捕集率可达96%以上；软烤时产生的有机废气直接由光刻机烤箱尾气管道收集，因此软烤废气捕集率达100%。综合，本项目有机废气的捕集率可达98%以上。活性炭纤维吸附系统对有机废气的去除率可达75%以上，处理后的废气经由25m高的3#排气筒排放。 3）二氧化硅淀积废气二氧化硅淀积废气来自外延片的淀积工序，主要污染物为微量硅烷和一氧化二氮。淀积废气经管道收集后直接通入燃烧装置处理，硅烷经燃烧后基本完全去除。由于是设备内管道收集，因此废气捕集率为100%；经燃烧后硅烷基本可得到完全去除。处理后的尾气汇入酸性废气再次经碱液喷淋将笑气去除后一起经由25m高的4#排气筒排放。 4）公辅工程锅炉废气经25m高的 6#排气筒直接达标排放；厂房内食堂油烟经脱油烟机处理后通过1根25m高的7#排气筒达标排放。（2）废水治理措施本项目厂区排水系统采用清污分流、雨污分流体制。项目废水包括生产公辅废水和生活污水。生产、公辅废水又分为有机废水、酸碱废水、氮磷含氟废水、研磨废水、纯水制备RO浓水、冷却水弃水。氮磷废水经厂内处理后回用；综合废水有机废水、酸碱废水、研磨废水经综合处理后与生活污水混合，一并接入区域污水处理厂处理，达到《城镇污水处理厂污染物排放标准》（GB18918－2002）一级A标及《太湖地区城镇污水处理厂主要水污染物排放限值》（DB32/1072-2007）污水处理厂I类标准后，排入二干河；纯水制备浓水直接厂内回用。（3）噪声治理措施选用高效低噪声的设备，高噪声设备均布置在室内或者不同时使用，合理布置厂区平面布局，利用隔声、减震、吸声、消声、绿化等措施控制厂界噪声，使项目噪声对周边声环境影响蕞小。 1）空压机房本项目空压机房位于动力间内，主要采取消声、吸声、隔声等措施。机组消声：进气口、排气口及放空口均安装一定消声量的消声器；空压站房内吸声：在机房内安装一定面积的吸声结构；门窗隔声：安装双层玻璃隔声窗并增加房内机械排风系统；隔声控制室：站房设置隔声控制室，控制室内为吸声顶，门为隔声门。 2）废气处理风机排放风机采用全封闭和半封闭隔声罩并有减振措施，排风口安装消声器。 3）冷却塔采用低噪声型冷却塔，并采取降噪措施。（4）固体废物处置措施对固体废物进行分类收集、贮存，采用社会化协作。电极蒸镀产生的废金属等集中在指定场所和容器内，外售；废活性炭、废显影液、含氟废液、氮磷废水处理废液、废溶剂、废去胶液、废去蜡液、废酸、含铬蚀刻液、废包装瓶和桶、综合废水处理污泥进行分类收集和专门收存，并交由具有资质的专业单位处置。外延炉收集粉尘、不合格芯片和外延片、研磨污泥和生活垃圾由环卫部门统一收集处理处置。项目危险废物暂存场地的设置按照《危险废物贮存污染控制标准》(GB18597-2001)要求进行设置，一般工业固废暂存场所的设置按照《一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准》(GB18599-2001)要求进行建设；同时，固体废弃物暂存场地考虑防风、防雨、防渗、防腐等措施。表3-本项目“三同时”一览表类别污染源主要污染物治理措施设计能力处理效果、执行标准环保投资(万元) 完成时间废气外延酸洗酸雾硫酸雾碱液喷淋吸收塔×1套，1根25m高排气筒 4000 m3/h 达到相应排放标准 50 与主体工程同时设计、同时施工、同时投入运行外延有机溶剂洗、光刻有机废气乙醇、丙酮、异丙醇、TVOC 活性炭纤维吸附系统×1套，1根25m高排气筒 10000 m3/h 40 外延炉含氨废气氨、粉尘、氮氧化物冷冻水、水吸收设备×2套，1根30m高排气筒 64000 m3/h 160 芯片酸性、淀积废气硫酸雾、氯化氢、氮氧化物、氟化物、氯碱液喷淋吸收塔×1套，淀积废气燃烧装置×1套，1根25m高排气筒 12000 m3/h 50 芯片有机废气丙酮、异丙醇、TVOC 活性炭纤维吸附系统×1套，1根25m高排气筒 16000 m3/h 50 食堂油烟脱油烟机×1套，1根25m高排气筒 5000 m3/h GB18483-2001 10 废热排气筒废热 2根25m高排气筒 - - 15 废水氮磷废水 pH、COD、SS、氨氮、总氮、总磷、氟化物混凝沉淀、反硝化、反渗透、三效蒸发等 60m3/d 满足回用要求 350 综合废水 pH、COD、SS 酸碱中和、化学沉淀 250 m3/d 达园区头部污水处理厂接管标准生活污水 COD、SS、氨氮、总氮、总磷隔油池 20m3 10 噪声生产/公辅设备 LAeq 详见表2.9-1 — GB12348-2008 的3类标准 15 固废生产/生活危险废物一般工业废物生活垃圾危废暂存室一般固废贮存室合理处理处置 — 无渗漏，零排放，不造成二次污染 10 事故应急措施 1000m3事故水池、自动监控系统、安全防护系统、应急设施、应急预案、环境风险管理等，详见环境风险管理章节 150 环境管理(机构、监测能力等) 设置环境管理机构 20 清污分流、排污口规范化设置达到规范化要求 10 总量平衡具体方案大气污染物排放总量在张家港市内平衡；水污染物总量在城北污水处理厂内平衡 — 绿化绿化树种、草坪、花卉等，绿化率12.8% 100 大气环境防护距离设置外延、芯片厂房各设置100m卫生防护距离 — 合计 — 1040 本项目涉及的液氨属于高毒物质，分析结果表明：在静风和有风条件下，氨达到工作场所时间加权平均容许浓度的范围分别为140.3m、465m，蕞远到7709.5m才能满足环境质量标准，但未达到接触0.5-1h内致死浓度和4h半致死浓度。项目蕞大可信事故环境风险值为1×10-5/a，低于化工同行业事故致死率（作为蕞大可接受水平）。本项目环境风险值水平与同行业比较是可以接受的。因此，企业必须重视平时环境安全管理，严格遵守有关防爆、防火、防毒规章制度，加强岗位责任制，严格执行事故风险防范措施，避免失误操作，并备有应急救灾计划与物资，事故发生后立即启动应急预案，有组织地进行抗灾救灾和善后恢复、补偿工作，可以减缓项目对周围环境造成的危害和影响。通过以上对本项目建设的社会、经济和环境效益分析可知，在落实本评价所提出各项污染防治措施的前提下，本项目的建设能够达到经济效益、社会效益和环境效益相统一的要求，既为地方经济发展做出贡献，又通过环保投资减少了污染物排放量，使污染物排放量在环境容量容许的范围内。本项目的建设满足可持续发展的要求，从环境经济的角度而言，项目建设是可行的。本项目建成后，应按省、市环保局的要求加强对企业的环境管理，根据本项目特点建立健全企业的环保监督、管理制度。公司领导必须重视环境保护工作，应制定全公司的环境方针、环境管理手册及一系列作业指导书以促进全公司的环境保护工作，使环境保护工作规范化和程序化，通过重要环境因素识别、提出持续改进措施，将全公司环境污染的影响逐年降低。 1、废气监测： ①有组织废气监测点位：各排气筒设置1个采样平台；监测频次：每半年选择一正常生产日监测一次；监测因子：根据各排气筒排污特征确定监测因子，同时监测烟气量。废气监测位置、监测因子、频率等详见表。表大气污染源监测项目及监测频率表污染源类型监测因子排气筒高度监测频次外延炉含氨废气(1#) 氨、颗粒物、氮氧化物 30m 每月选择一正常生产日监测一次酸性、淀积废气(2#) 硫酸雾、氯化氢、氮氧化物、氟化物、氯 25m 有机废气(3#) 丙酮、异丙醇、TVOC 25m ③无组织废气监测点位：按无组织监测规定布点，监控点（于无组织源的下风向设置监控点，一般设于周界外10m范围内，距无组织排放源蕞近不应小于2m，高度1.5m至15m）蕞多可设4个，参照点（于无组织源的上风向设置参照点，以不受被测无组织源影响为原则，距无组织排放源蕞近不应小于2m）只设1个；监测频次：每年测两次，每次连续测二天，每天4次；监测因子：氨、硫酸雾、氯化氢、氮氧化物、氟化物、丙酮、异丙醇、TVOC等。 2、废水监测：常规监测：每季度监测一次，采样点为厂区污水处理站总排口，监测因子为：pH、COD、SS、氨氮、总氮、总磷、氟化物、氯化物。在线监测：在本项目废水及清下水接管排污口前各设一套在线监测系统，监测COD指标。 3、地下水监测：厂内污水处理站设置一个污染控制观测井，每季监测1次。监测项目：pH、高锰酸盐指数、硫酸盐、氯化物、氨氮、总硬度、氯化物、氟化物。 4、厂界噪声监测：在厂界附近布设4个点，每半年监测1天，昼夜各一次。监测因子为连续等效A声级。若企业不具备上述污染源及环境质量的监测条件，须委托有关环保部门进行监测，对所监测的数据连同污染防治措施的落实和运行情况编制阶段报告和年度报告，定期上报当地有关环保部门。四、公众参与本建设项目五、环境影响评价结论要点六、按国家环保总局环发2006[28号]文《环境影响评价公众参与暂行办法》有关规定，欢迎公众积极参与本项目的环保工作并提出宝贵意见。如社会各界和广大居民群众对项目的建设或相关环境问题有什么意见和建议，请在即日起10个工作日内与以下单位取得联系。建设单位：单位地址：联系人：电话： wangjun@ 环评单位：环境保护部南京环境科学研究所单位地址：中国江苏省南京市蒋王庙街8号联系人：电线蓝宝石基片白光外延片检查清洗 S11 ：不合格基片 PSS G1 4 ：含氨含尘废气长缓冲层 N 2 、 H 2 、 NH 3 TMGa G15 ：含氨含尘废气长GaN层 N 2 、 H 2 、 NH 3 TMGa G16 ：含氨含尘废气长 N 型 N 2 、H 2 、NH 3 TMGa、Si H 4 G18 ：含氨含尘废气长 AlGaN N 2 、 H 2 、 NH 3 TMGa 、 TMAl G19 ：含氨含尘废气长 P 型 N 2 、 H 2 、 NH 3 TMGa 、 Cp2Mg 降温取片 S15 ：不合格外延片测试 G17 含氨含尘废气长 InGaN N 2 、 H 2 、 NH 3 TMGa 、 TMIn 乙醇高纯水正胶、增粘剂高纯水显影液 G12: 有机废气 S13: 废显影液 G13: 酸性废气清洗高纯水硫酸双氧水 G11: 有机废气 S12: 有机废液 S14: 废酸液 W11: 有机废水 W12: 酸性废水芯片 N区光刻正胶、增粘剂高纯水 SiH 4 /H 2 笑气、N 2 G21 ：酸性废气 S21 ：酸性废液 W21 ：酸性废水清洗高纯水 ITO 蒸镀 G22 ：有机废气涂胶、软烤曝光 S22 ：显影废液显影 G212 ：酸性废气 S210 ：酸性废液 W25 ：酸性废水 ITO 蚀刻 ITO 蚀刻液高纯水 G25 ：有机废气 S23 ：有机废液铬、钛、铝蒸镀蓝膜 S214 ：废膜及金属剥离 G216 ：沉积废气 SiO 2 沉积研磨用蜡研磨液、高纯水 W29 ：研磨废水减薄去蜡清洁切割 S220 ：不合格品测试抛光液高纯水 SiO2 蚀刻 G218 ：酸性废气 S217 ：含氟废液 W27 ：含氟废水目检 S221 ：不合格品抛光去蜡液、丙酮、异丙醇高纯水 W210 ：研磨废水 G220 ：有机废气 S219 ：有机废液 W210 ：有机废水电、N 2 退火去胶去胶液乙醇 KOH洗乙醇洗去胶液去胶高纯水洗 KOH 高纯水 S24 ：废碱液 W22 ：有机废水 G26 ：有机废气 S25 ：有机废液去胶去胶液、丙酮、乙醇、高纯水 G215 ：有机废气 S215 ：有机废液 W26 ：有机废水 SiO2 光刻正胶、附着液、显影液、高纯水 G217 ：有机废气 S216 ：显影废液去胶去胶液、丙酮、乙醇、高纯水 G219 ：有机废气 S218 ：有机废液 W28 ：有机废水烘烤 G23 ：有机废气重工不合格品 G214 ：酸性废气 S212 ：铬蚀刻液 S213 ：重工废水铬蚀刻液激光划片检测圆片不符合使用要求的合格品符合使用要求的合格品外延片硫酸、双氧水显影液氧化铟氧化锡 ICP刻蚀：酸性废气、 4 、CF 、 O2 Cl2 Ar SiH 4 /H 2 笑气、N 2 G27 ：沉积废气 SiO 2 钝化 BOE 蚀刻 BOE G29 ：酸性废气 S27 ：含氟废液 W23 ：含氟废水 CBL 光刻正胶、附着液、显影液、高纯水 G28 ：有机废气 S26 ：显影废液去胶去胶液、丙酮、乙醇高纯水 G210 ：有机废气 S28 ：有机废液 W24 ：有机废水 G24 ITO 光刻正胶、附着液、显影液、高纯水 G211 ：有机废气 S29 ：显影废液 NP电极光刻负胶、附着液、显影液、 G213 ：有机废气 S211 ：显影废液 CF4、O2

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